T7 TC-T7-H Высокоточный тестер транзисторов ESR емкость диода триода MOSPNPNPN LCR 128128 TFT ЖК-экран тестер мультиметр

Компонент

Диапазон

Описание параметров

BJT

-

HFE (коэффициент усиления постоянного тока), Ube (напряжение источника-эмиттера), Ic (ток коллектора), Iceo (ток коллектора (IB = 0), ices (коллектор короткого тока), Uf (переднее напряжение защитного диода) ③

Диод

Переднее напряжение <4,50 в

Прямое напряжение, Диодная емкость, ИК (обратный ток) ②

Двойные диоды

Прямое напряжение

Диод Зенера

0,01-4,50 V

(Испытательная зона транзистора)

Переднее напряжение, обратное напряжение

0,01-20V

(Зона тестирования диода Зенера)

Обратное напряжение

MOSFET

JFET

Cg (емкость затвора), Id (ток слива) на Vgs (от ворот до порога источника Voltag), Uf (переднее напряжение защитного диода) ④

IGBT

Id (ток слива) на Vgs (от ворот до порога источника Voltag), Uf (переднее напряжение защитного диода) ④

MOSFET

Vt (от ворот до порога источника Voltag), Cg (емкость затвора), Rds (слив до источника сопротивления), Uf (переднее напряжение защитного диода) ④

Тиристор

Igt (ток пускового механизма)<6 мА

Напряжение пускового механизма

ТРИАК

Конденсатор

25pF-100mF

Емкость, ESR (эквивалентное сопротивление серии), Vloss ①

Резистор

0,01-50MΩ

Сопротивление

Индуктор

0,01 mH-20 ч

Индуктивность, сопротивление постоянного тока ⑤

Батарея

0,1-4,5 в

Напряжение, полярность батареи