800um silicon avalanche детектор на базе фотодиода APD пиковая Чувствительность @ 900nm 
6 806,35₽
В наличии!
QIANBAIHE Store - Надежность 95.5%
Более 426 подписчиков, дата открытия магазина 23.12.2014
- Положительные оценки: 96% (94)
- Соответствие описанию: 96%
- Отвечает на сообщения: 96%
- Скорость отправки: 94%
Последнее обновление: 14.10.2024
Фотодиод 800-1700nm 300um 0,3 мм InGaAs, высокая надежность, от низ...
0 Отзывов
2 Заказов
1 944,65₽ -0.25%
0,3-нм мм контактный фотодиод InGaAs может быть оснащен волокном
0 Отзывов
1 Заказов
11 061,79₽
-Нм, мкм, Лавинный фотодетектор InGaAs, Диод APD с высокой ответств...
1 Отзывов
1 Заказов
23 458,35₽
Описание продукта:
Посылка:1 *800um silicon avalanche детектор на базе фотодиода APD пиковая Чувствительность @ 900nm
Основные характеристики:
1. Модель: LSSAPD9-800
2. Фоточувствительная Поверхность Диаметр: 800 мкм
3. Длина волны отклика: 400-1100нм
4. Темное напряжение: 0,7na @ M = 100
5. Время подъема: 0,6ns @ 905nm
6. Посылка: TO-46 Can, волоконная муфта, оптический интерфейс опционально
7. Ответ: 55 мА/мВт @ 905 нм, М = 100
Применение:
1. Промышленная Автоматизация управления 2. Научный анализ и эксперимент 3. Моделирование кабельного телевидения
4. Оптоволоконная связь 5. Быстрый оптический импульсный тест 6. Оптический рефлектометр
7. Оптоволоконный датчик
Посылка:1 *800um silicon avalanche детектор на базе фотодиода APD пиковая Чувствительность @ 900nm