20 шт., бикристаллический фототранзистор PT5824C с боковой поверхностью NPN, фотодатчик, светочувствительный приемный транзистор 
Последнее обновление: 27.05.2022
38 Отзывов
105 Заказов
22 Отзывов
50 Заказов
11 Отзывов
36 Заказов
13 Отзывов
30 Заказов
4 Отзывов
12 Заказов
2 Отзывов
9 Заказов
3 Отзывов
5 Заказов
Боковой двойной кристаллический фототранзистор PT5824C
Цвет: прозрачный
Диапазон спектральной полосы пропускания: 450 --- 1100 нм
Длина волны пиковой чувствительности: 880 нм
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: >30 В
Напряжение пробоя эмиттер-коллектор: >6 В
Ток коллектора при отсутствии света: <100 нA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: <=0,2 В
Ток коллектора в состоянии ВКЛ.: 1,5 мА
Время нарастания/спада: 15/15 мкс
Расположение двух чипов: горизонтальное направление
Расстояние между центрами двух чипов: 0,61 мм
Для детальных параметров продукта, пожалуйста, проверьте спецификации и загрузите спецификации с веб-сайта компании
Прямые продажи с фабрики, клиенты, покупающие партии, могут связаться с продавцом, чтобы организовать производство
1000 шт./пакет, весь посылка покупки более приемлема
Отличие нескольких бикристаллических фототранзисторов
1.PT2559B/L2, черный, две микросхемы расположены в продольном направлении, расстояние между центрами двух микросхем составляет 0,61 мм (0,024 дюйма).
2. PT2559B/H2, черный, две микросхемы расположены горизонтально, расстояние между центрами двух микросхем составляет 0,61 мм (0,024 дюйма).
3. PT2408B/H2, черный, две микросхемы расположены горизонтально, расстояние между центрами двух микросхем составляет 0,80 мм (0,0315 дюйма).
4. PT5824C, прозрачный, две микросхемы расположены горизонтально, расстояние между центрами двух микросхем составляет 0,61 мм (0,024 дюйма).
5. PT5724C, прозрачный, две микросхемы расположены горизонтально, расстояние между центрами двух микросхем составляет 0,61 мм (0,024 дюйма), шаг контактов составляет 1,27 мм (0,05 дюйма).
6. PT5524C, прозрачный, две микросхемы расположены горизонтально, расстояние между центрами двух микросхем составляет 0,61 мм (0,024 дюйма), шаг контактов составляет 1,27 мм (0,05 дюйма).
Разница между фотодиодом и фототранзистором
А. Аббревиатура: фотодиод --- PD/фототранзистор --- PT
B. Название PIN: фотодиод --- анод и катод/фототранзистор --- эмиттер и коллектор
C. Структура чипа: фотодиодный --- PN/фототранзистор --- NPN (или PNP)
D. Скорость отклика: фотодиодный --- быстрый/фототранзистор --- медленный
Е. Характеристики усиления: фотодиодный --- нет/фототранзистор --- да
F. Выходная линейность: фотодиодный --- хороший/фототранзистор --- плохой
G. Символ цепи: фотодиод
Фототранзистор
Отзывы покупателей
Страна: BG Доставка: Cainiao Super Economy Global 09.09.2022
Доставка 16 дней, трек отслеживался только по Китаю. Не проверял еще в схеме, но сопротивление от света меняется.
Страна: RU Доставка: Cainiao Super Economy 17.08.2022
Товар соответствует описанию. Упаковано отлично.
H***s
Страна: NL Доставка: Cainiao Super Economy Global 27.08.2022
Товары кажутся нормальными. Быстрая доставка.
A***r
Страна: SI Доставка: Cainiao Super Economy Global 04.06.2022
Кишка